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IXTD2N60P-1J相关型号
IXYS艾赛斯热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IXTD2N60P-1J

  • 制造商：IXYS
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 600
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

优势价格，IXTD2N60P-1J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装散装
  • 系列PolarHV™
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）5.1 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）7nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）240pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）56W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装模具
  • 封装/外壳模具

其它信息

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