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MTI200WX75GD-SMD相关型号
IXYS艾赛斯热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • MTI200WX75GD-SMD

  • 制造商：IXYS
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型6 N-沟道（3 相桥）
  • FET 功能标准
  • 漏源电压（Vdss）75V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）255A（Tc）
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）1.3 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.8V @ 275µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）155nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）14400pF @ 38V
  • 功率 - 最大值-
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳ISOPLUS-DIL™
  • 供应商器件封装ISOPLUS-DIL™

其它信息

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