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IXDN75N120相关型号
IXYS艾赛斯热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IXDN75N120

  • 制造商：IXYS
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • IGBT 类型NPT
  • 配置单路
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）1200V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）150A
  • 功率 - 最大值660W
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2.7V @ 15V，75A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）4mA
  • 不同Vce 时的输入电容（Cies）5.5nF @ 25V
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻无
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装SOT-227B

其它信息

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