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IX6R11S3T/R相关型号
IXYS艾赛斯热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IX6R11S3T/R

  • 制造商：IXYS
  • 批号：19+
  • 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IX6R11S3T/R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型独立式
  • 驱动器数2
  • 栅极类型IGBT，N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 电源10V ~ 35V
  • 逻辑电压- VIL，VIH6V，9.6V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）6A，6A
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）600V
  • 上升/下降时间（典型值）25ns，17ns
  • 工作温度-40°C ~ 125°C（TA）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
  • 供应商器件封装16-SOIC

其它信息

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